NE851M13-T3-A中文资料
- 大小：277.11KB
- 厂家：CEL [California Eastern Labs]
- 描述：NPN SILICON TRANSISTOR
- 标准包装：10,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：RF 晶体管 (BJT)
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：5.5V
- 频率 - 转换：4.5GHz
- 噪声系数（dB典型值@频率）：1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
- 增益：-
- 功率 - 最大：140mW
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 5mA，1V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-3
- 供应商设备封装：M13
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：Q2628423
NE851M13-T3-A供应商
更新时间:2023-01-06 09:05:05- 供应商
- 产品型号
- 服务标识
- 数量
- 厂商
- 封装/批号
- 说明
- 询价
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NE851M13-T3-A
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7899
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SOP8/-
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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NE851M13-T3-A
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125711
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NE851M13-T3-A
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原厂原装现货
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NE851M13-T3-A
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NE851M13-T3-A
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